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  • 氧化銦錫（ITO）靶材
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氧化銦錫（ITO）靶材

氧化銦錫（ITO）靶材是一種常用于光電子器件和顯示器件制備的關(guān)鍵材料，具有優(yōu)良的透明性和導(dǎo)電性，可用于制備透明導(dǎo)電薄膜與透明電極，廣泛應(yīng)用于液晶顯示器、觸摸屏、光電二極管以及太陽能電池，有助于提高電池的光吸收和電能轉(zhuǎn)化效率。氧化銦錫（ITO）靶材以其高透明性和導(dǎo)電性能，在現(xiàn)代電子、光學(xué)和太陽能領(lǐng)域中發(fā)揮著重要作用，推動了各種高性能電子器件的發(fā)展。

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產(chǎn)品詳情

品名

氧化銦錫（ITO）靶材

成分

In2O3:SnO2 (90:10 ±0.5wt), 其他比例按照客戶要求

外觀

黑色或深灰色

純度(%)

≥ 99.99%

相對密度(%)

≥ 99.5%

制造規(guī)格(mm)

最大尺寸1200*300平面靶

Φ135*Φ152-162*L400-1000mm圓筒靶

電阻率(mΩ·cm)

≤1.8×10-4Ω·cm

雜質(zhì)≤ (ppm)

Fe

Al

Si

Ni

Cu

Pb

Cr

Sum

15

10

15

5

5

5

5

100